मेसेज भेजें
rongxing international trade co.,limited
उत्पादों
उत्पादों
घर > उत्पादों > मेमोरी आईसी चिप > 512GB NAND फ्लैश मेमोरी IC चिप MT29F512G08CUCABH3-10RZ

512GB NAND फ्लैश मेमोरी IC चिप MT29F512G08CUCABH3-10RZ

उत्पाद विवरण

उत्पत्ति के प्लेस: टीएसओपी

ब्रांड नाम: Micron Technology

प्रमाणन: ROHS

मॉडल संख्या: MT29F512G08CUCABH3-10RZ

भुगतान और शिपिंग शर्तें

न्यूनतम आदेश मात्रा: 1 टुकड़ा

मूल्य: Negotiated

पैकेजिंग विवरण: ट्रे/रील

प्रसव के समय: 3-15 दिन

भंडार: 8000

भुगतान शर्तें: एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम

आपूर्ति की क्षमता: 1000 पीसी

सर्वोत्तम मूल्य प्राप्त करें
प्रमुखता से दिखाना:

512GB मेमोरी IC चिप

,

FBGA मेमोरी IC चिप

,

MT29F512G08CUCABH3-10RZ

निर्माता उत्पाद संख्या:
MT29F512G08CUCABH3-10RZ
मेमोरी प्रकार:
नंद फ्लैश मेमोरी
मेमोरी का आकार:
512 जीबी
मेमोरी स्पीड:
एन/ए
वोल्टेज आपूर्ति:
2.7 वी से 3.6 वी
पैकेज का प्रकार:
एफबीजीए
निर्माता उत्पाद संख्या:
MT29F512G08CUCABH3-10RZ
मेमोरी प्रकार:
नंद फ्लैश मेमोरी
मेमोरी का आकार:
512 जीबी
मेमोरी स्पीड:
एन/ए
वोल्टेज आपूर्ति:
2.7 वी से 3.6 वी
पैकेज का प्रकार:
एफबीजीए
512GB NAND फ्लैश मेमोरी IC चिप MT29F512G08CUCABH3-10RZ

MT29F512G08CUCABH3-10RZ - 512GB NAND फ्लैश मेमोरी

 

यहाँ जानकारी प्राप्त करें stock.xlsx

परिचय:

MT29F512G08CUCABH3-10RZ एक 512GB NAND फ्लैश मेमोरी मॉड्यूल है जिसे विभिन्न प्रकार के कंप्यूटिंग और स्टोरेज-गहन अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसमें उच्च स्तर का प्रदर्शन, विश्वसनीयता,और संगतता, यह मांग मेमोरी अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श समाधान बनाता है। MT29F512G08CUCABH3-10RZ भी एक उच्च गति डेटा हस्तांतरण दर और कम बिजली की खपत प्रदान करता है,इसे मोबाइल उपकरणों और अन्य बिजली संवेदनशील अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए उपयुक्त बनाना.

 

अनुप्रयोग:

सॉलिड स्टेट ड्राइव, यूएसबी फ्लैश ड्राइव, मेमोरी कार्ड, एम्बेडेड सिस्टम

 

उत्पाद विशेषताएंः

ब्रांड माइक्रोन प्रौद्योगिकी
मेमोरी प्रकार एनएएनडी फ्लैश मेमोरी
मेमोरी का आकार 512GB
स्मृति गति नहीं
आपूर्ति वोल्टेज 2.7V से 3.6V तक
पैकेज का प्रकार टीएसओपी

 

अधिक उत्पाद:

  1. SDINBDG4-256G - 256GB NAND फ्लैश मेमोरी
  2. H27U1G8F2BTR-BC - 128GB NAND फ्लैश मेमोरी
  3. S34ML01G200TFI000 - 1GB NAND फ्लैश मेमोरी
  4. THGBMFG8C4LBAIR - 64GB NAND फ्लैश मेमोरी
  5. H27UCG8T2ETR-BC - 256GB NAND फ्लैश मेमोरी
  6. S34ML04G200TFI000 - 2GB NAND फ्लैश मेमोरी
  7. SDINBDG4-64G - 64GB NAND फ्लैश मेमोरी
  8. H27UCG8T2BTR-BC - 128GB NAND फ्लैश मेमोरी
  9. S34ML02G100TFI000 - 1GB NAND फ्लैश मेमोरी
  10. THGBMFG8C4LBAIR - 128GB NAND फ्लैश मेमोरी

512GB NAND फ्लैश मेमोरी IC चिप MT29F512G08CUCABH3-10RZ 0512GB NAND फ्लैश मेमोरी IC चिप MT29F512G08CUCABH3-10RZ 1

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

Q1: MT29F512G08CUCABH3-10RZ का मेमोरी प्रकार क्या है?

उत्तरः MT29F512G08CUCABH3-10RZ एक NAND फ्लैश मेमोरी मॉड्यूल है।

Q2: MT29F512G08CUCABH3-10RZ की मेमोरी स्पीड क्या है?

उत्तरः MT29F512G08CUCABH3-10RZ में विशिष्ट मेमोरी गति नहीं है।

Q3: MT29F512G08CUCABH3-10RZ का आपूर्ति वोल्टेज क्या है?

A: MT29F512G08CUCABH3-10RZ 2.7V से 3.6V के आपूर्ति वोल्टेज पर काम करता है।

Q4: MT29F512G08CUCABH3-10RZ की मेमोरी क्षमता क्या है?

उत्तर: MT29F512G08CUCABH3-10RZ में 512GB की मेमोरी क्षमता है।

Q5: MT29F512G08CUCABH3-10RZ का पैकेज प्रकार क्या है?

उत्तरः MT29F512G08CUCABH3-10RZ एक TSOP पैकेज में आता है।

Q6: MT29F512G08CUCABH3-10RZ किस प्रकार के उपकरणों के लिए उपयुक्त है?

उत्तरः MT29F512G08CUCABH3-10RZ ठोस-राज्य ड्राइव, यूएसबी फ्लैश ड्राइव, मेमोरी कार्ड और भंडारण-गहन अनुप्रयोगों के लिए एम्बेडेड सिस्टम में उपयोग के लिए उपयुक्त है।

इसी तरह के उत्पादों
सर्वोत्तम मूल्य प्राप्त करें
सर्वोत्तम मूल्य प्राप्त करें
सर्वोत्तम मूल्य प्राप्त करें
सर्वोत्तम मूल्य प्राप्त करें
सर्वोत्तम मूल्य प्राप्त करें
सर्वोत्तम मूल्य प्राप्त करें
सर्वोत्तम मूल्य प्राप्त करें
सर्वोत्तम मूल्य प्राप्त करें
सर्वोत्तम मूल्य प्राप्त करें
सर्वोत्तम मूल्य प्राप्त करें